MOS管的电路工作原理电路符号和实物等详细资料讲解

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资料介绍

标签:MOS(176)晶体管(2033)半导体(7513)

本文档的主要内容详细介绍的是MOS管的工作原理电路符号和实物等详细资料讲解免费下载。

  金属物半导体场效应(MOS)可分为N沟道与P沟道两大类, P沟道硅MOS场效应管在N型硅衬底上有两个P+区,分别叫做源极和漏极,两极之间不通导,源极上加有足够的正电压(栅极接地)时,栅极下的N型硅表面呈现P型反型层,成为连接源极和漏极的沟道。改变栅压可以改变沟道中的空穴密度,从而改变沟道的电阻。这种MOS场效应晶体管称为P沟道增强型场效应晶体管。如果N型硅衬底表面不加栅压就已存在P型反型层沟道,加上适当的偏压,可使沟道的电阻增大或减小。这样的MOS场效应晶体管称为P沟道耗尽型场效应晶体管。统称为PMOS晶体管。


 

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