NOR Flash产能吃紧,逆市上扬

荷叶塘 来源:电子发烧友 作者:程文智 2019-09-18 17:19 次阅读
芯片是半导体市场中很重要的一块,在2018年全球半导体收入总额为4746亿美元,根据IC insights的统计,器芯片贡献了1398亿美元,其中DRAM占了存储器芯片市场的58%;NAND Flash占40%;NOR Flash仅占1%。由于NOR Flash等其他产品类别占比相对较小,也被称为利基型存储器。

DRAM存储器跌跌不休

自从2018年下半年开始,DRAM存储器开始供过于求,再加上后来的中美贸易摩擦和日韩贸易摩擦冲击,存储器市场开始持续走跌。有业内人士预测,DRAM整体去库存的情况可能还需要2到3个季度的时间。
曾经日韩贸易摩擦时,有DRAM供应商试图趁7月下旬现货大涨时,拉抬合约价,但没有成功。因为日本对韩国的手段其实只是“加强审查”,并非极端的“停止供货”,而现在日韩贸易摩擦也基本上得到了解决,相关原料氟化氢也开始恢复供应。也就是说,韩国相关厂商的原材料库存在预计用完之前,就能够及时供货到位,因此并不会造成DRAM市场供货的问题。
摩根大通甚至预测今年DRAM市场规模将大幅下滑30%,产品均价会比去年下降40%。各企业在存储器方面的资本支出也还在缩减。
根据IC Insights的最新报告,在资本支出方面,随着存储器产业的升级换代与产能扩张计划都已经接近尾声,IC Insights预计今年DRAM和NAND Flash资本支出共416亿美元,占今年半导体总资本支出总额的43%,低于去年的49%。预计2019年半导体总资本支出将下滑8%,至978亿美元,低于2018年的1059亿美元。
图1:2013年~2019年半导体总资本支出额及存储器资本支出额。
图1:2013年~2019年半导体总资本支出额及存储器资本支出额。
2017至2018年资本投入最多的IC产品子类是NAND Flash和非易失性存储器。不过,在过去的18个月,随着三星、SK海力士和美光增加DRAM和NAND Flash产量,而英特尔东芝存储器、西部数据、SanDisk、武汉新芯、以及长江存储等厂都在加速扩充3D NAND产能,导致DRAM和NAND Flash都进入供过于求的市场局面,价格开始走低。
DRAM与Flash存储器资本支出额。
图2:DRAM与Flash存储器资本支出额。
NAND Flash产品需求相对好,摩根大通预测,今年该类存储器需求将强劲增长30%,但目前来说,还是供过于求,预计产品均价仍会下降20%~40%。
当然,乐观估计的话,有望在2019年第四季后市场供需可趋近平衡。不过市场的长期走势(2022年后)表现就较让人担忧,毕竟PC和手机等产品的长期需求增长正在下降,而中国NAND新厂也将增加更多产能,而这些都是影响市场的重要因素。
因此,未来很长一段时间DRAM的价格应该还会继续下行,至于何时止跌,这要看库存的消耗量,企业的产能,以及市场的需求情况。

NOR Flash止跌回升

与DRAM持续下跌不同的是,NOR Flash的市场需求增长速度显著。这与NOR Flash的特性密切相关,因为应用程序可以直接在NOR Flash内运行,不需要把代码读到系统RAM中,然后再执行。因此,它的传输效率很高,在1~4Mb的小容量时具有很高的成本效益,但很低的写入和擦除速度大大影响了他的性能。
NOR Flash产品已经从最初的狭窄的应用范围,扩展到了带有额外的逻辑IP和固件的处理器核中,与NAND Flash相比,NOR Flash使用相对较大的存储单元,可提供高耐用性和较长的数据保留时间。
结合字节寻址架构,NOR Flash非常适用于启动代码,包括就地执行系统和交易数据。
NOR Flash目前主要应用在各种消费性电子、网络通信,物联网、工控机和汽车等领域当中。
近来,物联网相关产品以及TWS等可穿戴产品的爆发式增长是NOR Flash存储器需求增长的主要驱动力。
以一个典型的物联网模块为例,核心芯片包括处理器(通常时MCU,也有SoC形式的AP)外挂存储芯片(用来存储代码和信息,一般为NOR Flash/SLC NAND Flash)、通信连接芯片和传感器。
目前主流的方案是 “MCU/AP+NOR Flash”,但其实NOR Flash的应用场景在持续扩展,去年热卖的TWS耳机只是其中一种形态,预计未来还会有更多的各类形态的可穿戴和物联网产品采用类似方案。
TWS耳机的增长,带来了NOR Flash市场的需求,这只是一个开始,预计明后年会迎来更多的增量。因为每颗TWS耳机均需要一颗NOR Flash用于存储固件及相关代码。而要实现主动降噪的功能,则至少需要标配128Mb/256Mb NOR Flash,此后如果再加入主动降噪和语音识别等多功能后,对NOR Flash容量的要求将更高。典型的例子就是新一代的Airpods2和Sony降噪豆搭载的都是128Mb NOR Flash。据苹果供应链透露,苹果年底会推出Airpods3,除了支持Siri语音控制、防水和降噪功能外,还将加入心率等健康功能,由于搭载了更多功能,其所需的NOR Flash容量将翻倍至256Mb。如果以苹果耳机销售量约为4000万套计算,光Airpods产品线的NOR Flash用量将占全球一年产值的3~5%。
除了苹果,类似国内的一线手机品牌厂商也都卯足了劲,抢占这块大饼,他们都相继推出了新一代的TWS耳机,且都搭载高容量NOR Flash,这将带动相关芯片厂出货大增。
除此之外,还有5G基站、PC BIOS升级等应用场景也需要用到更多的NOR Flash产品。
同时,汽车级NOR Flash有望成为下一个应用热点。车载ECU,尤其是中控系统对存储方案升级需求在持续提升。在ECU中,MCU是核心,外挂一颗NOR Flash存储代码和信息,未来中控屏和仪表盘分辨率向4K/8K提升的话,NOR Flash的容量必然也需要提升。
目前不论是旺宏、赛普拉斯、华邦和兆易创新都可以提供车规级NOR Flash产品。
从库存方面来看,根据摩根斯坦利发布的报告,今年第二季度时,NOR Flash的库存为60天左右,到现在为止NOR Flash的库存应该消耗得差不多了。也就是说第三季度NOR Flash产品基本会达到供需平衡,甚至需求超过供给。
从价格方面来看,NOR Flash从去年第四季度开始,高端容量价格已经企稳,中低端容量目前也有企稳的趋势;在2019年第二季度,NOR Flash需求较好的128Mb产品价格开始有上涨趋势。
从产能供应方面看,NOR Flash前五大供应商华邦、旺宏、赛普拉斯、兆易创新和美光从去年开始就一直没有大规模扩充产能的动作。排名前两位的华邦和旺宏甚至将降低了5%~10%的产能,以维持更好的定价水平,这也就是说,上半年的产能利用率仅为90%左右。
随着市场需求由淡季进入旺季,缺货问题恐将再度浮上台面。以赛普拉斯为例,其第二季NOR Flash几乎已被客户订购一空,产能严重紧缺,价格与上季相较已有所调涨。对于旺宏来说也有好消息,随着任天堂推出升级版游戏机,并正式进军大陆市场,市场普遍看好该公司在9月份营收再创新高;另外,旺宏还携手英伟达(Nvidia)共同切入自动驾驶Level2+至Level5市场,因此,旺宏下半年的产能恐怕也会相当紧张。
因此,业内人士认为,旺宏和华邦NOR Flash需求大增,且交期已经明显拉长,或将涨价。

结语

同样是存储器芯片,DRAM产品的价格在持续下行,市场一片冰天雪地;而NOR Flash产品则在需求持续上涨的推动下,价格企稳,且多家企业都由于供货吃紧,酝酿涨价中,市场一片火热,真是同一存储器芯片市场却是冰火两重天。
收藏 人收藏
分享:

评论

相关推荐

我们将《嵌入式工程师-系列课程》分成两大阶段:第一阶段:《计算机体系结构》课程   分成4篇:分别是
发表于 01-20 00:00 1414次 阅读

三星首次开发出第三代10nm级DRAM高级存储器

三星电子红运快三(Samsung Electronics)在其官网上发布消息,该公司正式宣布,首次开....
发表于 09-27 17:23 97次 阅读
三星首次开发出第三代10nm级DRAM高级存储器

英特尔用Optane存储器与三星在内存行业一争高下

全球第一大非内存半导体生产商英特尔公司在首尔展示了其在内存半导体领域的先进技术,向三星电子和全球内存....
发表于 09-27 16:43 27次 阅读
英特尔用Optane存储器与三星在内存行业一争高下

物联网时代SRAM具备怎样的优势

然而最新的物联网时代给予了PSRAM的新的生命体,特别是在语音交互领域,PSRAM以它较小的封装,大....
发表于 09-27 16:42 82次 阅读
物联网时代SRAM具备怎样的优势

首先来了解 ARM 体系结构中的字长。 字(Word),在 ARM 体系结构中,字的长度为 32 位,而在 8 位/16 位处理器体系结...
发表于 09-27 09:37 103次 阅读

SBSRAM的特点及结构和SBSRAM在DSP系统中的应用实例说明

介绍同步突发静态 RAM 的特点及结构 ,并就其与 DSP( digital signal proc....
发表于 09-27 08:00 17次 阅读
SBSRAM的特点及结构和SBSRAM在DSP系统中的应用实例说明

Rk3288处理器开发板的数据手册免费下载

Rk3288是一款低功耗、高性能的处理器,适用于手机、个人移动互联网设备和其他数字多媒体应用,并将四....
发表于 09-27 08:00 17次 阅读
Rk3288处理器开发板的数据手册免费下载

目前,汽车中使用的复杂电子系统越来越多,而汽车系统的任何故障都会置乘客于险境,这就要求设计出具有“高度可靠性”的系统。同...
发表于 09-27 07:45 17次 阅读

图书馆的日常服务涉及到人流、物流的管理, 需要进行大量的读者和书刊的识别、访问控制、统计等工作。目前, 图书馆基本上都采用...
发表于 09-27 07:03 19次 阅读

分区存储将解决高容量存储盘的写入限制挑战

为了应对QLC和SMR这两种高容量存储盘面临的写入限制挑战,不能停留在介质本身,而是要看整个数据的基....
发表于 09-26 17:10 122次 阅读
分区存储将解决高容量存储盘的写入限制挑战

N79E815A和N79E814A与N79E8132A微控制器的数据手册免费下载

N79E815A/814A/8132A 为增强型8位51微控制器(4T 模式),内嵌16K[1]/8....
发表于 09-26 16:26 26次 阅读
N79E815A和N79E814A与N79E8132A微控制器的数据手册免费下载

DRVIVGFXLCCXEX.C给了我一个异常的IdRvvgfxLCcxPixelRayPoT(),MEBII板工作得不太好。它会得到一...
发表于 09-26 11:59 22次 阅读

固态硬盘将会有效的延长电脑寿命

虽然固态硬盘已经推行了很多年,但小咖知道有很多朋友的笔记本电脑依然用的是机械硬盘,平时用起来会卡,特....
发表于 09-26 11:24 60次 阅读
固态硬盘将会有效的延长电脑寿命

AI存储器将会改变计算机的现有结构

20世纪30年代中期,美国科学家有“计算机之父”之称的冯·诺依曼提出,采用二进制作为计算机的数制基础....
发表于 09-26 11:15 33次 阅读
AI存储器将会改变计算机的现有结构

你好。PIC16F87具有PCL存储的13位PC、LSB字节、PCLSATE中的MSB 5位。问题是当PCL翻转PCLATH不增...
发表于 09-26 10:33 33次 阅读

本参考手册面向应用开发人员, 提供有关使用 STM32F75xxx 和 STM32F74xxx 微控制器存储器与外设的完整信息。 STM...
发表于 09-26 10:28 602次 阅读

为使产品在市场竞争中处于有力地位,在工业仪器仪表中,单色液晶屏逐渐被彩色屏取代是必然趋势。由于数字彩色屏的解析度高,玻璃...
发表于 09-26 06:22 64次 阅读

西部数据公司宣布推出新产品满足用户对于高耐久度存储解决方案日益增长的需求

西部数据公司(NASDAQ: WDC)今日宣布推出一系列新产品,旨在满足用户对于高耐久度存储解决方案....
发表于 09-26 05:15 420次 阅读

长鑫存储正在加速从DRAM的技术追赶者向技术引领者转变

在今日举办的中国闪存技术峰会(CFMS)上,长鑫存储副总裁、未来技术评估实验室负责人平尔萱博士做了题....
发表于 09-26 05:13 735次 阅读

您好,试图理解具有唯一设备ID的dsPIC33和PIC24的编程规范:dsPIC33EP64GS502、dsPIC33EP16GS202、PIC...
发表于 09-25 14:55 25次 阅读

小米真无线蓝牙耳机Air2正式发布 售价399元

在小米9 Pro 5G手机和小米MIX Alpha手机新品发布会上,小米正式发布了小米真无线蓝牙耳机....
发表于 09-25 14:30 221次 阅读
小米真无线蓝牙耳机Air2正式发布 售价399元

realme正式发布了realme X2和realme灵耳蓝牙颈带耳机

realme X2后置6400万像素四摄像头,支持超广角、微距和人像拍摄,拥有1/1.72英寸超级大....
发表于 09-25 11:45 107次 阅读
realme正式发布了realme X2和realme灵耳蓝牙颈带耳机

2019闪存跌荡起伏,访三大存储主控巨头,他们透露了这些信息……

NAND Flash的价格行情接下来将如何?今年6月份,东芝工厂断电,我预估NAND价格会涨,没人相....
的头像 芯链 发表于 09-25 09:59 1984次 阅读

迪文DGUS屏用户开发指南免费下载

DGUS 是迪文图形应用服务软件的简称。是基于K600+内核迪文屏所设计的具有完全自主知识产权的智慧....
发表于 09-25 08:00 25次 阅读
迪文DGUS屏用户开发指南免费下载

       80C186XL16位嵌入式微处理器是Intel公司在嵌入式微处理器市场的上导产品之一,已广泛应用于电脑...
发表于 09-25 07:38 18次 阅读

      市场对更高质量车载免提语音系统的需求正不断增长。许多政府已经通过或正在考虑立法,以禁止在驾驶过...
发表于 09-25 07:16 8次 阅读

单原子存储器将是世界上最小的存储介质

发表于《自然》杂志上的一项最新突破性研究显示:一个比特位的数字信息现在可以成功地存储于单个原子上。
发表于 09-24 17:20 45次 阅读
单原子存储器将是世界上最小的存储介质

未来存储行业的主流存储方式会是什么

随着5G、AI、IoT、自动驾驶等技术的崛起,无数随时产生着海量数据,对于存储和处理都提出了极高的需....
发表于 09-24 17:15 176次 阅读
未来存储行业的主流存储方式会是什么

我国存储器行业迎来了重大技术突破

说起存储器,现在市场基本被日美韩垄断,尤其是三星。尤其是现在存储器价格一直处于价格上涨,而且预计还会....
发表于 09-24 17:10 43次 阅读
我国存储器行业迎来了重大技术突破

兆易创新:NOR、NAND、DRAM三剑齐发

电子发烧友网原创文章,文/黄晶晶 根据摩根斯坦利发布的报告,今年第二季度时,NOR Flash的库存....
发表于 09-24 09:13 1234次 阅读

VS1053B音频编解码器芯片的数据手册免费下载

VS1053B是一款单芯片ogg-vorbis/mp3/aac/-wma/midi音频解码器、ima....
发表于 09-23 17:39 69次 阅读
VS1053B音频编解码器芯片的数据手册免费下载

存储器市场需要寻找一个新的发展方向

受到存储器价格震荡下跌的影响,国际存储器主要制造商相继采取削减资本支出或降低产量等应对措施。
发表于 09-22 11:32 83次 阅读
存储器市场需要寻找一个新的发展方向

SSD边缘计算将加速服务器存储的发展

尽管固态硬盘在性能、抗震性以及故障率上均优于机械硬盘,但受限于成本及容量,当下部分服务器上所使用的硬....
发表于 09-22 11:29 63次 阅读
SSD边缘计算将加速服务器存储的发展

让存储器运行速度更快

IMEC高级研究员Shairfe M.Salahuddin解释说,,SRAM由6个晶体管组成,控制读....
的头像 IEEE电气电子工程师学会 发表于 09-22 07:46 197次 阅读

以材料工程为基础的应用材料公司推出了新型芯片制造系统

应用材料公司金属沉积产品全球产品经理周春明博士认为:“通过传统二维的摩尔定律,缩减晶体管尺寸是做不下....
的头像 电子技术应用ChinaAET 发表于 09-22 07:24 804次 阅读

嵌入式使用有什么技巧

代码存储器,又称程序存储器或只读存储器(rom),是存储程序指令的地方。
发表于 09-21 09:13 60次 阅读
嵌入式使用有什么技巧

中国将自主研发DRAM存储器

业内研究人员表示,中国目前有三家厂商正在建设的闪存与存储器工厂,旨在确保自身能够在NAND与DRAM....
发表于 09-20 16:53 168次 阅读
中国将自主研发DRAM存储器

STM32单片机的三种启动模式解析

要注意的是,一般不使用内置SRAM启动(BOOT1=1 BOOT0=1),因为SRAM掉电后数据就丢....
发表于 09-20 16:17 127次 阅读
STM32单片机的三种启动模式解析

长鑫存储副总裁披露DRAM技术发展现状和未来趋势

昨日,长鑫存储副总裁、未来技术评估实验室负责人平尔萱博士披露了DRAM技术发展现状和未来趋势。作为中....
的头像 半导体动态 发表于 09-20 16:06 550次 阅读

浙大研发的新型存储器将大幅降低网络芯片的成本

浙江大学信息与电子工程学院赵毅教授课题组研发出一种低成本、低功耗的新型存储器。这项基于可工业化生产的....
发表于 09-20 11:14 104次 阅读
浙大研发的新型存储器将大幅降低网络芯片的成本

磁存储器有望提高存储密度并降低能耗

磁性材料,是硬盘存储器等现代数字信息技术的重要基础。之前,笔者曾经介绍过许多有关磁性材料的创新成果。
发表于 09-20 11:08 56次 阅读
磁存储器有望提高存储密度并降低能耗

头盔蓝牙耳机DIY图解

到最后一步,你们都已经完成了,现在你们可能想测试一下。把它拿出去,给你的朋友打电话,询问你的声音听起....
的头像 39度创意研究所 发表于 09-20 10:42 160次 阅读

关于NAS网络存储器常用功能的详细介绍

由于NAS系统成本低廉、配置方便,所以其普及率也逐步提高。但对于很多用户来说,NAS还没有普及到生活....
发表于 09-19 11:20 165次 阅读
关于NAS网络存储器常用功能的详细介绍

科学家成功研发存储单光子的新型量子存储器

如今,大多数通信网络中的高速数据传输采用的仍然是光的短脉冲。超宽带技术使用的是光纤链路,信息能够以光....
发表于 09-19 11:17 73次 阅读
科学家成功研发存储单光子的新型量子存储器

5G和AI驱动存储消费需求增长 存储器价格何时有望走出下行周期

2019年全球半导体市况表现不佳,增速大幅下滑,成为当前业界最为关注的话题之一。而本轮下行周期的成因....
的头像 半导体动态 发表于 09-18 14:43 1125次 阅读

相变存储器在技术方面上有什么特点

相变存储器具有很多优点,比如可嵌入功能强、优异的可反复擦写特性、稳定性好以及和CMOS工艺兼容等。
发表于 09-18 11:14 66次 阅读
相变存储器在技术方面上有什么特点

为什么现在的计算机必须带有存储器

我们使用计算机时,只要输入文字,计算机就会做出相应的反应,那么计算机是如何学会识字的呢?其实,计算机....
发表于 09-18 11:06 65次 阅读
为什么现在的计算机必须带有存储器

GW2AR18 FPGA开发板的用户手册免费下载

开发板采用高云半导体GW2AR-18 FPGA 器件,内嵌64Mbit PSRAM资源。高云半导体G....
发表于 09-17 15:22 82次 阅读
GW2AR18 FPGA开发板的用户手册免费下载

简单讲述一些关于存储器的进化历程

1967年 IBM公司推出世界上第一张“软盘”,直径32英寸。随着技术的发展,软盘的尺寸一直在减小,....
发表于 09-17 10:54 183次 阅读
简单讲述一些关于存储器的进化历程

5G与物联网的发展促进着存储器需求的持续增长

随着5G时代的逐渐逼近,物联网的快速发展促进着存储器需求的持续增长。数据表明,中国消耗全球20%的D....
发表于 09-17 10:47 174次 阅读
5G与物联网的发展促进着存储器需求的持续增长

Vivo推出TWSEarphone无线蓝牙耳机 售价999元

9月16日的发布会上,Vivo公司除了推出NEX 3系列4G、5G手机外,还推出了TWS Earph....
发表于 09-17 10:17 162次 阅读
Vivo推出TWSEarphone无线蓝牙耳机 售价999元

设计一个简易数字存储示波器的论文免费下载

本设计基于数字示波器原理,以高速转换器件、CPLD和单片机为核心,结合直接存储器存取(DMA)技术,....
发表于 09-16 17:48 80次 阅读
设计一个简易数字存储示波器的论文免费下载

磁单极子的研究促进新一代自旋电子存储器的开发

在信息大爆炸的时代,我们每天都要产生和面临大量的数据信息。现有的存储器在尺寸、性能、功耗、成本等方面....
发表于 09-16 16:29 74次 阅读
磁单极子的研究促进新一代自旋电子存储器的开发

国产芯片存储器的发展还要克服很多难关

发展国产存储器芯片是中国科技发展的重要一环,芯片在现代生活中的作用真是太重要了。手机、电脑、空调、电....
发表于 09-16 16:24 74次 阅读
国产芯片存储器的发展还要克服很多难关

三星突破次世代存储器将大规模生产28nm工艺EMRAM

三星宣布已经开始大规模生产首款商用EMRAM产品,该产品基于28nm FD-SOI工艺技术,并计划在....
发表于 09-16 16:18 194次 阅读
三星突破次世代存储器将大规模生产28nm工艺EMRAM

全球的存储器市场将保持持续性的增长态势

全球半导体市场迎来复苏。据WSTS统计,全球半导体市场规模2000-2009年CAGR为5.87%,....
发表于 09-16 11:24 195次 阅读
全球的存储器市场将保持持续性的增长态势

目前存储器的种类繁多且应用非常之广

存储器(Memory)是现代信息技术中用于保存信息的记忆设备。其概念很广,有很多层次,在数字系统中,....
发表于 09-16 11:19 209次 阅读
目前存储器的种类繁多且应用非常之广

32位微型计算机接口技术及应用PDF电子书免费下载

32位微型计算机接口技术及应用以32位微机接口为主要对象,从微机系统的角度深入地阐述了现代微机接口技....
发表于 09-16 08:00 64次 阅读
32位微型计算机接口技术及应用PDF电子书免费下载

史上存储密度最高的固态存储器问世

如今,随着移动互联网、云计算、智能终端等技术飞速发展,人类使用的数据量正以前所未有的速度爆炸式地急剧....
发表于 09-12 17:39 148次 阅读
史上存储密度最高的固态存储器问世

软盘是一种专门用于存储数据的外部存储器

人或多或少总会带有一些静电,如果不加注意,很有可能致电脑硬件的损坏。如果用户需要插拨电脑的中的部件时....
发表于 09-12 17:35 85次 阅读
软盘是一种专门用于存储数据的外部存储器

目前国内存储芯片企业的发展现状

日韩作为存储芯片的主要玩家,其产品几乎垄断了全球主流的市场。近年来,国内对存储芯片的重视,也诞生了诸....
发表于 09-12 17:32 530次 阅读
目前国内存储芯片企业的发展现状

LE2416RLBXA EEPROM存储器 2线 串行接口 16 kbits(2k x 8位)

RLBXA是一款2线串行接口EEPROM。它结合了我们公司的高性能CMOS EEPROM技术,实现了高速和高可靠性。该器件与I 2 C存储器协议兼容;因此,它最适合需要小规模可重写非易失性参数存储器的应用程序。 特性 优势 单电源电压:1.7V至3.6V(读取) 低功耗 擦除/写入周期:10 5 周期(页面写入) 高可靠性 容量:16k位(2k x 8位) 工作温度:-40至+ 85°C 接口:双线串行接口(I 2 C总线) 工作时钟频率:400kHz 低功耗:待机: 2μA( max)有效(读取):0.5mA(最大值) 自动页面写入模式:16字节 阅读模式:顺序阅读和随机阅读 数据保留期:20年 上拉电阻:WP引脚上带有内置上拉电阻的5kΩ(典型值) 高可靠性 应用 手机相机模块 电路图、引脚图和封装图...
发表于 04-18 20:23 14次 阅读
LE2416RLBXA EEPROM存储器 2线 串行接口 16 kbits(2k x 8位)

TLC5958 具有 48k 位存储器的 48 通道、16 位 PWM LED 驱动器

信息描述TLC5958 是一款 48 通道恒流灌电流驱动器,适用于占空比为 1 至 32 的多路复用系统。 每个通道都具有单独可调的 65536 步长脉宽调制 (PWM) 灰度 (GS)。采用 48K 位显示存储器以提升视觉刷新率,同时降低 GS 数据写入频率。输出通道分为三组,每组含 16 个通道。 各组都具有 512 步长颜色亮度控制 (CC) 功能。 全部 48 通道的最大电流值可通过 8 步长全局亮度控制 (BC) 功能设置。 CC 和 BC 可用于调节 LED 驱动器之间的亮度偏差。 可通过一个串行接口端口访问 GS、CC 和 BC 数据。如需应用手册:,请通过电子邮件发送请求。TLC5958 有一个错误标志:LED 开路检测 (LOD),可通过串行接口端口读取。 TLC5958 还具有节电模式,可在全部输出关闭后将总流耗设为 0.8mA(典型值)。特性 48 通道恒流灌电流输出具有最大亮度控制 (BC)/最大颜色亮度控制 (CC) 数据的灌电流: 5VCC 时为 25mA 3.3VCC 时为 20mA 全局亮度控制 (BC):3 位(8 步长) 每个颜色组的颜色亮度控制 (CC):9 位(512 步长),三组使用多路复用增强型光谱 (ES) PWM 进行灰度 (GS) 控制:16 位 支持 32 路多路复用的 48K 位灰度数据...
发表于 04-18 20:08 75次 阅读
TLC5958 具有 48k 位存储器的 48 通道、16 位 PWM LED 驱动器

TPS59116 全套 DDR、DDR2 和 DDR3 存储器功率解决方案、用于嵌入式计算的同步降压控制器

信息描述 The TPS59116 provides a complete power supply for DDR/SSTL-2, DDR2/SSTL-18, and DDR3 memory systems. It integrates a synchronous buck controller with a 3-A sink/source tracking linear regulator and buffered low noise reference. The TPS59116 offers the lowest total solution cost in systems where space is at a premium. The TPS59116 synchronous controller runs fixed 400-kHz pseudo-constant frequency PWM with an adaptive on-time control that can be configured in D-CAP™ Mode for ease of use and fastest transient response or in current mode to support ceramic output capacitors. The 3-A sink/source LDO maintains fast transient response only requiring 20-µF (2 × 10 µF) of ceramic output capacitance. In addition, the LDO supply input is available externally to significantly reduce the total power losses. The TPS59116 supports all of the sleep state controls placing VTT at high-Z in S3 (suspend to RAM) and dischargin...
发表于 04-18 20:05 48次 阅读
TPS59116 全套 DDR、DDR2 和 DDR3 存储器功率解决方案、用于嵌入式计算的同步降压控制器

TPS53317A 用于 DDR 存储器终端的 6A 输出 D-CAP+ 模式同步降压集成 FET 转换器

信息描述 TPS53317A 器件是一款设计为主要用于 DDR 终端的集成场效应晶体管 (FET) 同步降压稳压器。 它能够提供一个值为 ½ VDDQ的经稳压输出,此输出具有吸收电流和源电流功能。TPS53317A 器件采用 D-CAP+ 运行模式,简单易用,所需外部组件数较少并可提供快速瞬态响应。 该器件还可用于其他电流要求高达 6A 的负载点 (POL) 稳压应用。此外,该器件支持具有严格电压调节功能的 6A 完整灌电流输出。该器件具有两种开关频率设定值(600kHz 和 1MHz),可提供集成压降支持、外部跟踪功能、预偏置启动、输出软放电、集成自举开关、电源正常功能、V5IN 引脚欠压锁定 (UVLO) 保护功能,支持采用陶瓷和 SP/POSCAP 电容。 该器件支持的输入电压最高可达 6V,而输出电压在 0.45V 至 2.0V 范围内可调。TPS53317A 器件采用 3.5mm × 4mm 20 引脚超薄四方扁平无引线 (VQFN) 封装(绿色环保,符合 RoHS 标准并且无铅),其中应用了 TI 专有的集成 MOSFET 和封装技术,其额定运行温度范围为 –40°C 至 85°C。特性 采用 TI 专有的集成金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 和封装技术支持 DDR 内存...
发表于 04-18 20:05 44次 阅读
TPS53317A 用于 DDR 存储器终端的 6A 输出 D-CAP+ 模式同步降压集成 FET 转换器

TPS51716 完整 DDR2、DDR3 和 DDR3L 存储器功率解决方案同步降压

信息描述 TPS51716 用最少总体成本和最小空间提供一个针对 DDR2,DDR3,DDR3L 和 LPDDR3 内存系统的完整电源。 它集成了同步降压稳压器控制器 (VDDQ),此控制器具有 2A 灌电流/拉电流跟踪 LDO (VTT) 和经缓冲的低噪声基准 (VTTREF)。 TPS51716 采用与 500kHz 或 670kHz 工作频率相耦合的 D-CAP2™ 模式,此模式在无需外部补偿电路的情况下可支持陶瓷输出电容器。 VTTREF 跟踪 VDDQ/2 的精度高达 0.8%。 能够提供 2A 灌电流/拉电流峰值电流功能的 VTT 只需 10μF 的陶瓷电容器。 此外,此器件特有一个专用的 LDO 电源输入。TPS51716 提供丰富、实用的功能以及出色的电源性能。 它支持灵活功率级控制,将 VTT 置于 S3 中的高阻抗状态并在 S4/S5 状态中将 VDDQ,VTT 和 VTTREF 放电(软关闭)。 它包括具有低侧 MOSFET RDS(接通)感测的可编程 OCL,OVP/UVP/UVLO 和热关断保护。TPS51716 从 TI 出厂时采用 20引脚,3mm x 3mm QFN 封装并且其额定环境温度范围介于 -40°C 至 85°C 之间。特性 同步降压控制器 (VDDQ)转换电压范围:3V 至 28V输出...
发表于 04-18 20:05 53次 阅读
TPS51716 完整 DDR2、DDR3 和 DDR3L 存储器功率解决方案同步降压

TPS51216 DDR2/3/3L/4 存储器电源解决方案同步降压控制器,2A LDO,缓冲参考

信息描述 The TPS51216 provides a complete power supply for DDR2, DDR3 and DDR3L memory systems in the lowest total cost and minimum space. It integrates a synchronous buck regulator controller (VDDQ) with a 2-A sink/source tracking LDO (VTT) and buffered low noise reference (VTTREF). The TPS51216 employs D-CAP™ mode coupled with 300 kHz/400 kHz frequencies for ease-of-use and fast transient response. The VTTREF tracks VDDQ/2 within excellent 0.8% accuracy. The VTT, which provides 2-A sink/source peak current capabilities, requires only 10-μF of ceramic capacitance. In addition, adedicated LDO supply input is available.The TPS51216 provides rich useful functions as well as excellent power supply performance. It supports flexible power state control, placing VTT at high-Z in S3 and discharging VDDQ, VTT and VTTREF (soft-off) in S4/S5 state. Programmable OCL with low-side MOSFET RDS(...
发表于 04-18 20:05 94次 阅读
TPS51216 DDR2/3/3L/4 存储器电源解决方案同步降压控制器,2A LDO,缓冲参考

AD5175 单通道、1024位数字变阻器,配有I²C接口和50-TP存储器

信息优势和特点 单通道、1024位分辨率 标称电阻:10 kΩ 50次可编程(50-TP)游标存储器 温度系数(变阻器模式):35 ppm/°C 单电源供电:2.7 V至5.5 V 双电源供电:±2.5 V至±2.75 V(交流或双极性工作模式) I2C兼容型接口 游标设置和存储器回读 上电时从存储器刷新 电阻容差存储在存储器中 薄型LFCSP、10引脚、3 mm x 3 mm x 0.8 mm封装 紧凑型MSOP、10引脚、3 mm × 4.9 mm × 1.1 mm封装产品详情AD5175是一款单通道1024位数字变阻器,集业界领先的可变电阻性能与非易失性存储器(NVM)于一体,采用紧凑型封装。该器件既可以采用±2.5 V至±2.75 V的双电源供电,也可以采用2.7 V至5.5 V的单电源供电,并提供50次可编程(50-TP)存储器。AD5175的游标设置可通过I²C兼容型数字接口控制。将电阻值编程写入50-TP存储器之前,可进行无限次调整。AD5175不需要任何外部电压源来帮助熔断熔丝,并提供50次永久编程的机会。在50-TP激活期间,一个永久熔断熔丝指令会将电阻位置固定(类似于将环氧树脂涂在机械式调整器上)。AD5175提供3 mm × 3 mm 10引脚LFCSP和10引脚MSOP两种封装。保证工作温度范围为−40°C至+125°C扩展...
发表于 04-18 19:35 8次 阅读
AD5175 单通道、1024位数字变阻器,配有I²C接口和50-TP存储器

AD5174 单通道、1024位数字变阻器,配有SPI接口和50-TP存储器

信息优势和特点 单通道、1024位分辨率 标称电阻:10 kΩ 50次可编程(50-TP)游标存储器 温度系数(变阻器模式):35 ppm/°C 单电源供电:2.7 V至5.5 V 双电源供电:±2.5 V至±2.75 V(交流或双极性工作模式) SPI兼容型接口 游标设置和存储器回读 上电时从存储器刷新 电阻容差存储在存储器中 薄型LFCSP、10引脚、3 mm x 3 mm x 0.8 mm封装 紧凑型MSOP、10引脚、3 mm × 4.9 mm × 1.1 mm封装产品详情AD5174是一款单通道1024位数字变阻器,集业界领先的可变电阻性能与非易失性存储器(NVM)于一体,采用紧凑型封装。 该器件既可以采用±2.5 V至±2.75 V的双电源供电,也可以采用2.7 V至5.5 V的单电源供电,并提供50次可编程(50-TP)存储器。AD5174的游标设置可通过SPI数字接口控制。将电阻值编程写入50-TP存储器之前,可进行无限次调整。AD5174不需要任何外部电压源来帮助熔断熔丝,并提供50次永久编程的机会。在50-TP激活期间,一个永久熔断熔丝指令会将电阻位置固定(类似于将环氧树脂涂在机械式调整器上)。AD5174提供3 mm × 3 mm 10引脚LFCSP和10引脚MSOP两种封装。保证工作温度范围为−40°C至+125°C扩展工业...
发表于 04-18 19:35 10次 阅读
AD5174 单通道、1024位数字变阻器,配有SPI接口和50-TP存储器

AD5292 单通道、1%端到端电阻容差(R-TOL)、1024位数字电位计,具有20次可编程存储器

信息优势和特点 单通道、256/1024位分辨率 标称电阻:20 kΩ、50 kΩ和100 kΩ 标称电阻容差误差(电阻性能模式):±1%(最大值) 20次可编程游标存储器 温度系数(变阻器模式):35 ppm/°C 分压器温度系数:5 ppm/°C +9V至+33V单电源供电 ±9V至±16.5V双电源供电 欲了解更多特性,请参考数据手册 下载AD5292-EP (Rev 0)数据手册(pdf) 温度范围:−55°C至+125°C 受控制造基线 唯一封装/测试厂 唯一制造厂 增强型产品变更通知 认证数据可应要求提供 V62/12616 DSCC图纸号产品详情AD5292是一款单通道1024位数字电位计1,集业界领先的可变电阻性能与非易失性存储器(NVM)于一体,采用紧凑型封装。这些器件能够在宽电压范围内工作,支持±10.5 V至±16.5 V的双电源供电和+21 V至+33 V的单电源供电,同时确保端到端电阻容差误差小于1%,并具有20次可编程(20-TP)存储器。业界领先的保证低电阻容差误差特性可以简化开环应用,以及精密校准与容差匹配应用。AD5291和AD5292的游标设置可通过SPI数字接口控制。将电阻值编程写入20-TP存储器之前,可进行无限次调整。这些器件不需要任何外部电压源来帮助熔断熔丝,并提供20次永久编程的机...
发表于 04-18 19:31 12次 阅读
AD5292 单通道、1%端到端电阻容差(R-TOL)、1024位数字电位计,具有20次可编程存储器

AD5291 单通道、1%端到端电阻容差(R-Tol)、256位数字电位计,具有20次可编程存储器

信息优势和特点 单通道、256/1024位分辨率 标称电阻:20 kΩ, 50 kΩ和 100 kΩ 校准的标称电阻容差:±1%(电阻性能模式) 20次可编程 温度系数(变阻器模式):35 ppm/°C 温度系数(分压器模式):5 ppm/°C +9 V 至 +33 V 单电源供电 ±9 V至±16.5 V 双电源供电 欲了解更多特性,请参考数据手册 产品详情AD5291/AD5292属于ADI公司的digiPOT+™ 电位计系列,分别是单通道256/1024位数字电位计1 ,集业界领先的可变电阻性能与非易失性存储器(NVM)于一体,采用紧凑型封装。这些器件的工作电压范围很宽,既可以采用±10.5 V至±16.5 V双电源供电,也可以采用+21 V至+33 V单电源供电,同时端到端电阻容差误差小于1%,并提供20次可编程(20-TP)存储器。业界领先的保证低电阻容差误差特性可以简化开环应用,以及精密校准与容差匹配应用。AD5291/AD5292的游标设置可通过SPI数字接口控制。将电阻值编程写入20-TP存储器之前,可进行无限次调整。这些器件不需要任何外部电压源来帮助熔断熔丝,并提供20次永久编程的机会。在20-TP激活期间,一个永久熔断熔丝指令会将游标位置固定(类似于将环氧树脂涂在机械式调整器上)。AD5291/AD52...
发表于 04-18 19:31 4次 阅读
AD5291 单通道、1%端到端电阻容差(R-Tol)、256位数字电位计,具有20次可编程存储器

AD5253 四通道、64位、 I2C 、非易失性存储器、数字电位计

信息优势和特点 四通道、64位分辨率 1 kΩ, 10 kΩ, 50 kΩ, 100 kΩ 非易失性存储器1 存储游标设置,并具有写保护功能 上电恢复至EEMEM设置,刷新时间典型值为300 µs EEMEM重写时间:540 µs(典型值) 电阻容差存储在非易失性存储器中 EEMEM提供12个额外字节,可存储用户自定义信息 I2C兼容型串行接口 直接读写RDAC2 和EEMEM寄存器 预定义线性递增/递减命令 预定义±6 dB阶跃变化命令 欲了解更多信息,请参考数据手册产品详情AD5253/AD5254分别是64/256位、四通道、I2C®, 采用非易失性存储器的数字控制电位计,可实现与机械电位计、调整器和可变电阻相同的电子调整功能。AD5253/AD5254具有多功能编程能力,可以提供多种工作模式,包括读写RDAC和EEMEM寄存器、电阻的递增/递减、电阻以±6 dB的比例变化、游标设置回读,并额外提供EEMEM用于存储用户自定义信息,如其它器件的存储器数据、查找表或系统识别信息等。主控I2C控制器可以将任何64/256步游标设置写入RDAC寄存器,并将其存储在EEMEM中。存储设置之后,系统上电时这些设置将自动恢复至RDAC寄存器;也可以动态恢复这些设置。在同步或异步通...
发表于 04-18 19:29 4次 阅读
AD5253 四通道、64位、 I2C 、非易失性存储器、数字电位计

AD5254 四通道、256位、 I2C 、非易失性存储器、数字电位计

信息优势和特点 四通道、256位分辨率 1 kΩ, 10 kΩ, 50 kΩ, 100 kΩ 非易失性存储器1存储游标设置,并具有写保护功能 上电恢复为EEMEM设置,刷新时间典型值为300 µs EEMEM重写时间:540 µs(典型值) 电阻容差存储在非易失性存储器中 EEMEM提供12个额外字节,可存储用户自定义信息 I2C兼容型串行接口 直接读/写RDAC2 和EEMEM寄存器 预定义线性递增/递减命令 预定义±6 dB阶跃变化命令 欲了解更多特性,请参考数据手册产品详情AD5253/AD5254分别是64/256位、四通道、I2C®, 采用非易失性存储器的数字控制电位计,可实现与机械电位计、调整器和可变电阻相同的电子调整功能。AD5253/AD5254具有多功能编程能力,可以提供多种工作模式,包括读写RDAC和EEMEM寄存器、电阻的递增/递减、电阻以±6 dB的比例变化、游标设置回读,并额外提供EEMEM用于存储用户自定义信息,如其它器件的存储器数据、查找表或系统识别信息等。主控I2C控制器可以将任何64/256步游标设置写入RDAC寄存器,并将其存储在EEMEM中。存储设置之后,系统上电时这些设置将自动恢复至RDAC寄存器;也可以动态恢复这些设置。在同步或异步通...
发表于 04-18 19:29 12次 阅读
AD5254 四通道、256位、 I2C 、非易失性存储器、数字电位计

AD5252 I2C, 非易失性存储器、双通道、256位数字电位计

信息优势和特点 非易失性存储器可保存游标设置 电阻容差存储在非易失性存储器中 1 k Ω, 10 k Ω, 50 k Ω 100 k Ω I2C 兼容型串行接口 游标设置回读功能 线性递增/递减预定义指令 ±6 dB对数阶梯式递增/递减预定义指令 单电源:2.7 V至5.5 V 逻辑操作电压:3 V至5 V 上电复位至EEMEM设置,刷新时间小于1 ms 非易失性存储器写保护 数据保留期限:100年(典型值, TA = 55°C )产品详情AD5252是一款双通道、数字控制可变电阻(VR),具有256位分辨率。它可实现与电位计或可变电阻相同的电子调整功能。该器件通过微控制器实现多功能编程,可以提供多种工作与调整模式。在直接编程模式下,可以从微控制器直接加载RDAC寄存器的预设置。在另一种主要工作模式下,可以用以前存储在EEMEM寄存器中的设置更新RDAC寄存器。当更改RDAC寄存器以确立新的游标位时,可以通过执行EEMEM保存操作,将该设置值保存在EEMEM中。一旦将设置保存在EEMEM寄存器之后,这些值就可以自动传输至RDAC寄存器,以便在系统上电时设置游标位。这种操作由内部预设选通脉冲使能;也可以从外部访问预设值。基本调整模式就是在游标位设置(RDAC)寄...
发表于 04-18 19:29 52次 阅读
AD5252 I2C, 非易失性存储器、双通道、256位数字电位计

AD5251 I2C, 非易失性存储器、双通道、64位数字电位计

信息优势和特点 非易失性存储器保存游标设置 电阻容差存储在非易失性存储器中 1 k Ω, 10 k Ω, 50 k Ω 100 k Ω I2C 兼容型串行接口 游标设置回读功能 线性递增/递减预定义指令 ±6 dB对数阶梯式递增/递减预定义指令 单电源:2.7 V至5.5 V 逻辑操作电压:3 V至5 V 上电复位至EEMEM设置,刷新时间小于1 ms 非易失性存储器写保护 数据保持能力:100年(典型值,TA = 55°C )产品详情AD5251是一款双通道、数字控制可变电阻(VR),具有64位分辨率。它可实现与电位计或可变电阻相同的电子调整功能。该器件通过微控制器实现多功能编程,可以提供多种工作与调整模式。在直接编程模式下,可以从微控制器直接加载RDAC寄存器的预设置。在另一种主要工作模式下,可以用以前存储在EEMEM寄存器中的设置更新RDAC寄存器。当更改RDAC寄存器以确立新的游标位时,可以通过执行EEMEM保存操作,将该设置值保存在EEMEM中。一旦将设置保存在EEMEM寄存器之后,这些值就可以自动传输至RDAC寄存器,以便在系统上电时设置游标位。这种操作由内部预设选通脉冲使能;也可以从外部访问预设值。基本调整模式就是在游标位设置(RDAC)寄存器...
发表于 04-18 19:29 82次 阅读
AD5251 I2C, 非易失性存储器、双通道、64位数字电位计

AD5235 非易失性存储器、双通道1024位数字电位计

信息优势和特点 双通道、1024位分辨率 标称电阻:25 kΩ、250 kΩ 标称电阻容差误差:±8%(最大值) 低温度系数:35 ppm/°C 2.7 V至5 V单电源或±2.5 V双电源 SPI兼容型串行接口 非易失性存储器存储游标设置 加电刷新EEMEM设置 永久性存储器写保护 电阻容差储存于EEMEM中 26字节额外非易失性存储器,用于存储用户定义信息 1M编程周期 典型数据保留期:100年 下载AD5235-EP数据手册 (pdf) 温度范围:-40℃至+125°C 受控制造基线 一个装配/测试厂 一个制造厂 增强型产品变更通知 认证数据可应要求提供 V62/11605 DSCC图纸号产品详情AD5235是一款双通道非易失性存储器1、数控电位计2,拥有1024阶跃分辨率,保证最大低电阻容差误差为±8%。该器件可实现与机械电位计相同的电子调整功能,而且具有增强的分辨率、固态可靠性和出色的低温度系数性能。通过SPI®-兼容串行接口,AD5235具有灵活的编程能力,支持多达16种工作模式和调节模式,其中包括暂存编程、存储器存储和恢复、递增/递减、±6 dB/阶跃对数抽头调整和游标设置回读,同时提供额外的EEMEM1 ,用于存储用户定义信息,如其他元件的存储器数据、查找表、系统标识信息等。...
发表于 04-18 19:28 88次 阅读
AD5235 非易失性存储器、双通道1024位数字电位计

AD5231 非易失性存储器、1024位数字电位计

信息优势和特点 1024位分辨率 非易失性存储器保存游标设置 上电时利用EEMEM设置刷新 EEMEM恢复时间:140 µs(典型值) 完全单调性工作 端接电阻:10 kΩ、50 kΩ、100 kΩ 永久存储器写保护 游标设置回读功能 预定义线性递增/递减指令 预定义±6 dB/步对数阶梯式递增/递减指令 SPI®兼容型串行接口 3 V至5 V单电源或±2.5 V双电源供电产品详情AD5231是一款采用非易失性存储器*的数字控制电位计**,提供1024阶分辨率。它可实现与机械电位计相同的电子调整功能,而且具有增强的分辨率、固态可靠性和遥控能力。该器件功能丰富,可通过一个标准三线式串行接口进行编程,具有16种工作与调整模式,包括便笺式编程、存储器存储与恢复、递增/递减、±6 dB/步对数阶梯式调整、游标设置回读,并额外提供EEMEM用于存储用户自定义信息,如其它器件的存储器数据、查找表或系统识别信息等。在便笺式编程模式下,可以将特定设置直接写入RDAC寄存器,以设置端子W–A与端子W–B之间的电阻。此设置可以存储在EEMEM中,并在系统上电时自动传输至RDAC寄存器。EEMEM内容可以动态恢复,或者通过外部PR选通脉冲予以恢复;WP功能则可保护EE...
发表于 04-18 19:28 80次 阅读
AD5231 非易失性存储器、1024位数字电位计

CAT25128 EEPROM串行128-Kb SPI

28是一个EEPROM串行128-Kb SPI器件,内部组织为16kx8位。它具有64字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。通过片选( CS )输入使能器件。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 HOLD 输入可用于暂停与CAT25128设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。 片上ECC(纠错码)使该器件适用于高可靠性应用。 适用于新产品(Rev. E)。 特性 20 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V操作 硬件和软件保护 低功耗CMOS技术 SPI模式(0,0& 1,1) 工业温度范围 自定时写周期 64字节页面写缓冲区 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或所有EEPROM阵列 1,000,000计划/时代se周期 100年数据保留 8引脚SOIC,TSSOP和8焊盘TDFN,UDFN封装 此设备无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准 其他识别具有永久写保护的页面 应用 汽车系统 通讯系统 计算机系统 消费者系统 工业系统 电路图、引脚图和封装图...
发表于 04-18 19:13 70次 阅读
CAT25128 EEPROM串行128-Kb SPI

CAT25256 EEPROM串行256-Kb SPI

56是一个EEPROM串行256-Kb SPI器件,内部组织为32kx8位。它具有64字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。通过片选( CS )输入使能器件。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 HOLD 输入可用于暂停与CAT25256设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。 片上ECC(纠错码)使该器件适用于高可靠性应用。 适用于新产品(Rev. E)。 特性 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0)& (1,1) 64字节页面写缓冲区 具有永久写保护的附加标识页(新产品) 自定时写周期 硬件和软件保护 100年数据保留期 1,000,000个程序/擦除周期 低功耗CMOS技术 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或整个EEPROM阵列 工业温度范围 8引脚SOIC ,TSSOP和8焊盘UDFN封装 此器件无铅,无卤素/ BFR,以及符合RoHS标准 应用 汽车系统 Communica tions Systems 计算机系统 消费者系统 工业系统 ...
发表于 04-18 19:13 52次 阅读
CAT25256 EEPROM串行256-Kb SPI

CAT25040 4-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

信息 CAT25040是一个4-kb SPI串行CMOS EEPROM器件,内部组织为512x8位。安森美半导体先进的CMOS技术大大降低了器件的功耗要求。它具有16字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片选()启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 输入可用于暂停与CAT25040设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0和1,1) 16字节页面写入缓冲区 自定时写入周期 硬件和软件保护 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或整个EEPROM阵列 低功耗CMOS技术 1,000,000编程/擦除周期 100年数据保留 工业和扩展温度范围 PDIP,SOIC,TSSOP 8引脚和TDFN,UDFN 8焊盘封装 这些器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准...
发表于 04-18 19:13 56次 阅读
CAT25040 4-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

CAT25160 EEPROM串行16-Kb SPI

60是一个EEPROM串行16-Kb SPI器件,内部组织为2048x8位。它们具有32字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。通过片选( CS )输入使能器件。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 HOLD 输入可用于暂停与CAT25160设备的任何串行通信。这些器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。 特性 10 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0& 1,1) 32字节页面写入缓冲区 自定时写周期 硬件和软件保护 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或全部EEPROM阵列 低功耗CMOS技术 1,000,000个编程/擦除周期 100年数据保留 工业温度范围 符合RoHS标准的8引脚SOIC,T SSOP和8-pad UDFN软件包 应用 汽车系统 通讯系统 计算机系统 消费者系统 工业系统 电路图、引脚图和封装图...
发表于 04-18 19:13 72次 阅读
CAT25160 EEPROM串行16-Kb SPI
红运快三 红运快三 红运快三 红运快三 红运快三 红运快三 红运快三 红运快三 红运快三 红运快三