电子发烧友网 > 存储技术 > 正文

长鑫存储首次公开亮相谈DARM技术的未来

2019年09月19日 15:06 次阅读
董事长兼CEO朱一明先生于五月在上海举办的GSA峰会上披露了公司DRAM的技术来源之后,大家对这家本土DRAM破局者的技术路线和未来发展充满着好奇。

在今日于深圳举办的中国闪存技术峰会上,长鑫存储副总裁、未来技术评估实验室负责人平尔萱博士做了题为《DRAM技术趋势与行业应用》的演讲,向公众披露了这家本土DRAM企业对DRAM技术及现状的看法。

DRAM技术的发展现状

平尔萱博士在会上表示,我们现在所处的数据社会是在IC的支撑下建立起来的,其中冯诺依曼架构则是这些数据计算的基础。这个架构的一个特点是数据存储在DRAM中,以一定的规则获取存储器中的数据,并进行运算,然后将结果通过外围设备,比如呈现出来。

“随着数据量的增加,处理数据的能力要加强,因此需要强大的CPU,同时存储器的数据容量也要增强,并且读写速度也要增加。因此近来对DRAM的要求也必须持续提高。DRAM的前景是十分看好”,平尔萱博士强调。IBS首席执行官 Handel Jones日前在上海出席一场技术论坛时也表示,DRAM将于2020年迎来复苏,增长9.87%,这也从侧面印证了平博士的观点。

平博士在会上介绍道,所谓DRAM,是基于电容存储电荷为原理的紧密铺排的阵列。这个阵列通过一系列外围管理从而读写里面存储的数据。自上世纪60年代发明以来,DRAM容量和尺寸获得了飞速的发展。与过往相比,今天,一个面积小于指甲盖的DRAM里可容纳80亿存储单元,按照8个存储单元存储一个字母,那就意味着一个芯片可能存8亿个字母。并且这些数据可以以6Gb/sec 的速度,在几秒内完成读写。而在这些改变背后,是DRAM技术多次“进化”的结果。

从平博士的介绍我们得知,DRAM技术在发明之后的几十年里,经历了从早期简单的平面结构,变化成为了向空间争取表面积的沟槽式电容及堆叠式电容的架构。这主要与容量的提升需求和制造方法的局限性有关。

平博士解释道,早期的DRAM芯片,由于比较大,因此有足够的平面面积可制造出足够的电容值。然而随着线宽的减少,表面积逐渐减少,过往的技术不能满足所需电容值,因此DRAM开始走向空间结构,争取更多的表面积,演变出向上和向下两种技术发展路线,并且共存了接近三十年。而最终以堆叠式架构胜出。

“造成这个结局的一个重要原因是沟槽式架构面临几个技术难点:其一是沟槽式只限于单面表面积,堆叠式可用双面表面积,沟槽式架构很快就达到了刻蚀深宽比极限;其二是高介质材料的应用受到沟槽式中高温制程的限制。传统材料SiO ,Al2O3可以在高温下有低漏电的特性,因此比较适合沟槽式架构,但像HfO,ZrO这些高介解常数材料漏电在高于600℃的温度下增加许多,不能用于沟槽式架构中需高温处理的三极管制造中。”

平博士还提到,在DRAM技术的演进过程中,曾经的DRAM巨头奇梦达提出的埋入式电栅三极管概念也给整个产业带来巨大的贡献。他表示,这个技术同样是利用空间,将三极管的性能提升,这种提升随着线宽的减少越来越被需要。而近代DRAM产品都沿用这个概念。

“回看堆叠式架构的发展历史以及展望将来的发展趋势就可以发现,现在DRAM沿用密集排布电容及埋入式字线三极管,乃至今后3-5代DRAM”,平博士说。

DRAM未来的发展探索

在谈到DRAM技术未来的发展时,平博士首先强调,DRAM是有它的极限的。我们通过改进,可以将极限推迟。如导入E及HKMG三极管以缩小线宽及加强外围电路性能,就是DRAM产业的一个选择,这在未来几年将可以维持DRAM技术发展,满足大数据时代的需求。

首先在EUV方面,平博士指出,EUV是继193纳米 Immersion Scanner后又一个光刻机革命。它可满足工艺精准度在持续微缩中不断增加的要求。而DRAM又是一个十分密集堆叠的设计,且对信号要求十分严格,任何小的偏离都会对信号造成损失。那就意味着EUV技术的出现对DRAM技术的延展有很大的作用:如将线宽进一步减少以增加存储密度。

“EUV主要是针对阵列。但外围线路的增强及微缩也是近来DRAM技术发展的另一个机会”,平博士补充说。

他表示,在DRAM几乎一半的外围线路中,有一半是逻辑线路用的。在过往,这部分的CMOS一直都是用传统的SiON/Poly Si Gate堆栈的。但这个堆栈在32/28纳米阶段碰到了瓶颈:一方面是SiON厚度已到极限,不能再薄了;另一方面,Poly Si作为半导体材料,导电率也不足了,出现了严重的性能不足。如在高端的图显DDR中,芯片性能速度明显不足,这就需要引进更先进的HKMG CMOS提供更好性能。随着DDR5的到来,HKMG CMOS的使用会越来越现实。

“由于DRAM制程中有电容这一段,因此HGMG制程的选择需与电容制程匹配。所谓的Gate First制程就可被选择为DRAM逻辑线路CMOS制程”,平博士说。他进一步表示,通过引入HKMG,不但可以推动存储密度进一步提高,速度也同步获得了提升。

“为了继续发展DRAM技术,我们还需要在新材料、新架构上进行更多探索,并与相关企业进行合作”,平博士说。他最后指出,回顾过去几十年的DRAM发展,证明IDM是发展DRAM的必然选择,而这正是长鑫存储从一开始建立就坚持的。

从平博士的介绍中我们可以看到,基于授权所得的奇梦达相关技术和从全球招揽的极具丰富经验的人才,长鑫存储借助先进的机台已经把原本奇梦达的46纳米 DRAM平稳推进到了10纳米级别。公司目前也已然开始了在EUV、HKMG和GAA等目前还没有在DRAM上实现的新技术探索。

正如前面所述,这些技术将会给DRAM带来一个巨大的提升。这也会让长鑫存储有机会从一个技术追随者转变为一个技术并驾齐驱、甚至全球领先的中国DRAM玩家。

本文来自摩尔芯闻,本文作为转载分享。

下载发烧友APP

打造属于您的人脉电子圈

关注电子发烧友微信

有趣有料的资讯及技术干货

关注发烧友课堂

锁定最新课程活动及技术直播

电子发烧友观察

一线报道 · 深度观察 · 最新资讯
收藏 人收藏
分享:

评论

相关推荐

实现3nm技术节点需要突破哪些半导体关键技术

将互连扩展到3nm技术节点及以下需要多项创新。IMEC认为双大马士革中的单次显影EUV,Superv...

发表于 2019-09-15 17:23 852次阅读
实现3nm技术节点需要突破哪些半导体关键技术

EUV工艺不同多重图形化方案的优缺点及新的进展研...

与过去相比,研究人员现在已经将EUVL作为存储器关键结构的图形化工艺的一个选项,例如DRAM的柱体结...

发表于 2019-09-05 11:45 312次阅读
EUV工艺不同多重图形化方案的优缺点及新的进展研...

关于EUV光刻的优势和应用以及所面临的的困境

不久之前,半导体行业还坚持认为 EUV 扫描仪可以不使用防护膜,只需要在洁净的环境中就可以加工晶圆。...

发表于 2019-09-05 10:12 128次阅读
关于EUV光刻的优势和应用以及所面临的的困境

关于EUV机台的性能分析和应用介绍

台积电方面也同时参与。当时消息显示,台积电将以8.38亿欧元购买ASML的5%股权,并同意在下一代光...

发表于 2019-09-04 16:56 285次阅读
关于EUV机台的性能分析和应用介绍

关于EUV光刻机的分析介绍

格芯首席技术官Gary Patton表示,如果在5nm的时候没有使用EUV光刻机,那么光刻的步骤将会...

发表于 2019-09-03 17:18 540次阅读
关于EUV光刻机的分析介绍

关于EUV的性能分析和挑战

CD-SEM和相关工具可能会遇到信号与噪声问题,从而导致所谓CD偏差的问题。为了解决这个问题,Fra...

发表于 2019-09-03 09:34 1540次阅读
关于EUV的性能分析和挑战

Litho路障威胁到40纳米以下的芯片生产

加利福尼亚州圣何塞 - 制造商设备供应商佳能公司的一位官员警告说,下一代平版印刷术(NGL)面临着新...

发表于 2019-09-01 09:40 224次阅读
Litho路障威胁到40纳米以下的芯片生产

ASML在未来将如何持续推动半导体产业发展

AI、5G应用推动芯片微缩化,要实现5nm、3nm等先进制程,意味着需要更新颖的技术支援以进行加工制...

发表于 2019-08-27 16:47 417次阅读
ASML在未来将如何持续推动半导体产业发展

日本首次批准向韩国出口EUV光刻胶

7月1日,日本政府宣布将韩国移除对外贸易白名单,韩国进口日本公司的三种原材料——光刻胶、氟化聚酰亚胺...

发表于 2019-08-11 10:54 814次阅读
日本首次批准向韩国出口EUV光刻胶

浸没式光刻原理浅析

到2002年底浸入式技术迅速成为光刻技术中的新宠,而此前业界并没有认为浸入式技术有如此大的功效。

发表于 2019-08-08 17:47 397次阅读
浸没式光刻原理浅析

台积电时程规划领先业界并积极备妥产能 三星加速时...

台积电、Samsung与Intel在先进制程发展的竞争关系备受市场瞩目。过去先进制程发展除了解决微缩...

发表于 2019-08-08 16:32 712次阅读
台积电时程规划领先业界并积极备妥产能 三星加速时...

三星表示2020年7nmEUV生产线将如期量产 ...

尽管日本方面上周末推出了第二波禁韩令,预计多达857种重要材料对韩国出口都会受到管制影响,此举可能会...

发表于 2019-08-05 15:26 487次阅读
三星表示2020年7nmEUV生产线将如期量产 ...

三星6nm6LPP将在今年下半年如期投入量产 4...

除了台积电,三星如今在工艺方面也是十分激进:7nm 7LPP去年十月投产之后,按照官方最新给出的时间...

发表于 2019-08-02 15:45 501次阅读
三星6nm6LPP将在今年下半年如期投入量产 4...

三星称在GAA技术领先台积电一年 更超前英特尔两...

尽管日韩贸易冲突持续延烧,三星电子原定9月在日本东京的晶圆代工论坛将如期举行。三星届时预料将展示自家...

发表于 2019-08-02 15:40 759次阅读
三星称在GAA技术领先台积电一年 更超前英特尔两...

关于ASML EUV工艺的最新信息进展

在上周的Semicon West上,ASML提供了有关当前EUV系统以及正在开发的0.55高NA系统...

发表于 2019-07-27 10:37 807次阅读
关于ASML EUV工艺的最新信息进展

三星痛下决心,自研极紫外光(EUV)光阻剂

寻找光阻剂替代供应商难度很高,就算找到新供应来源,所有制程和设计须重新测试,至少得花1年时间才能运作...

发表于 2019-07-26 15:44 700次阅读
三星痛下决心,自研极紫外光(EUV)光阻剂

台积电3nm工艺技术开发进展顺利 已经有早期客户...

近两年先进半导体制造主要是也终于迎来了EUV光刻机,这也使7nm之后的工艺发展得以持续进行下去。台积...

发表于 2019-07-24 11:45 810次阅读
台积电3nm工艺技术开发进展顺利 已经有早期客户...

ASML新财报:销售额与毛利率双双超越预期

荷兰时间2019年7月17日,ASML Holding N.V.(ASML)公布了2019年第二季度...

发表于 2019-07-22 16:02 626次阅读
ASML新财报:销售额与毛利率双双超越预期

ASML发布2019年Q2季度财报 EUV光刻机...

掌握全球唯一EUV光刻机研发、生产的荷兰ASML(阿斯麦)公司今天发布了2019年Q2季度财报,当季...

发表于 2019-07-18 16:02 456次阅读
ASML发布2019年Q2季度财报 EUV光刻机...

日韩贸易战愈演愈烈 将直接影响三星电子EUV工艺...

近日,日韩贸易战愈演愈烈,日本宣布氟聚酰亚胺(Fluorine Polyimide)、半导体制造中的...

发表于 2019-07-14 10:42 1629次阅读
日韩贸易战愈演愈烈 将直接影响三星电子EUV工艺...

受日本材料出口管制 三星电子7纳米芯片计划将受挫

7月11日消息,知情人士表示,由于日本针对对韩国产业至关重要的半导体材料实施更严格的出口管制,三星电...

发表于 2019-07-12 16:31 801次阅读
受日本材料出口管制 三星电子7纳米芯片计划将受挫

张忠谋的告别作!台积电18厂打遍天下无敌手?

台积电最新的18厂,将在明年第一季量产5纳米制程,领先英特尔、三星一年以上。

发表于 2019-07-12 08:38 688次阅读
张忠谋的告别作!台积电18厂打遍天下无敌手?

Cadence 数字全流程解决方案通过三星5LP...

采用极紫外(EUV)光刻技术的Cadence 数字全流程解决方案已通过Samsung Foundry...

发表于 2019-07-11 16:36 652次阅读
Cadence 数字全流程解决方案通过三星5LP...

三星5nm取得重要进展 可以带来25%的逻辑电路...

眼下,台积电和三星都在全力冲刺5nm工艺,这将是7nm之后的又一个重要节点,全面应用EUV极紫外光刻...

发表于 2019-07-10 16:32 591次阅读
三星5nm取得重要进展 可以带来25%的逻辑电路...

三星今年9月份将完成7nmEUV工艺生产线 明年...

随着NVIDIA宣布7nm GPU由三星代工,三星在晶圆代工市场上总算又拉来一个客户,如果算上之前的...

发表于 2019-07-04 16:40 693次阅读
三星今年9月份将完成7nmEUV工艺生产线 明年...

助力高级光刻技术:存储和运输EUV掩模面临的挑战

随着半导体行业持续突破设计尺寸不断缩小的极限,极紫外 (EUV) 光刻技术的运用逐渐扩展到大规模生产...

发表于 2019-07-03 15:32 193次阅读
助力高级光刻技术:存储和运输EUV掩模面临的挑战

ASML新一代EUV设备预计2025年正式量产

当前半导体制程微缩已经来到10纳米节点以下,EUV极紫外光光刻技术已成为不可或缺的设备,包括现在的7...

发表于 2019-07-02 16:33 612次阅读
ASML新一代EUV设备预计2025年正式量产

DRAM大厂工艺推进1z纳米 导入EUV设备扩大...

2019年上半DRAM价格下跌压力沉重,尽管上游产能调节以及传统旺季拉货需求逐渐回升,预料将有望支撑...

发表于 2019-06-21 16:43 706次阅读
DRAM大厂工艺推进1z纳米 导入EUV设备扩大...

DRAM开始进入EUV时代?

根据国外媒体报导,曾表示目前制程技术还用不上EUV技术的各大DRAM厂在目前DRAM价格直直落,短期...

发表于 2019-06-21 10:13 764次阅读
DRAM开始进入EUV时代?

DRAM厂将陆续导入EUV技术

DRAM厂商在面对DRAM价格不断下跌的困境下,已经在考虑导入EUV技术用于制造DRAM,主要目的是...

发表于 2019-06-21 09:10 599次阅读
DRAM厂将陆续导入EUV技术

台积电官宣2nm研发启动 N5P量产预计落在20...

6月18日,台积电在上海举办了2019中国技术论坛(TSMC2019 Technology Symp...

发表于 2019-06-19 16:59 959次阅读
台积电官宣2nm研发启动 N5P量产预计落在20...

多家DRAM厂商开始评估采用EUV技术量产

继台积电、三星晶圆代工、英特尔等国际大厂在先进逻辑制程导入极紫外光(EUV)微影技术后,同样面临制程...

发表于 2019-06-18 17:20 1000次阅读
多家DRAM厂商开始评估采用EUV技术量产

全球第一家!台积电官宣2nm工艺!

这几年,虽然摩尔定律基本失效或者说越来越迟缓,但是在半导体工艺上,几大巨头却是杀得兴起。Intel终...

发表于 2019-06-17 09:32 1154次阅读
全球第一家!台积电官宣2nm工艺!

台湾地区与韩国对光刻机需求最强烈 先进制程的光刻...

在先进制程纳米节点持续微缩下,光刻机是重要关键设备。12寸晶圆主要光刻机为ArF immersion...

发表于 2019-06-10 16:56 879次阅读
台湾地区与韩国对光刻机需求最强烈 先进制程的光刻...

ASML放弃EUV光罩防尘薄膜研发并技转日本三井...

ASML将中断EUV Pellicle(光罩防尘薄膜)技术的研发,并将该技术转让与日本。

发表于 2019-06-09 14:51 801次阅读
ASML放弃EUV光罩防尘薄膜研发并技转日本三井...

NVIDIA或将重新拥抱三星 新图形芯片Ampe...

6月4日消息,据Digitimes报道,台积电持续保持先进制程技术领先优势,7nm制程包揽了大厂订单...

发表于 2019-06-05 16:40 923次阅读
NVIDIA或将重新拥抱三星 新图形芯片Ampe...

台积电和三星再次登上摩尔定律阶梯

5纳米节点是首个从开始就使用极紫外光刻(EUV)技术做出来的。在波长只有13.5纳米的情况下,EUV...

发表于 2019-06-02 09:03 1684次阅读
台积电和三星再次登上摩尔定律阶梯

台积电 | 首次加入EUV极紫外光刻技术 7nm...

台积电官方宣布,已经开始批量生产7nm N7+工艺,这是台积电第一次、也是行业第一次量产EUV极紫外...

发表于 2019-05-28 16:18 956次阅读
台积电 | 首次加入EUV极紫外光刻技术 7nm...

台积电今年7纳米总产能将增加1.5倍 达到100...

台积电近日举办技术论坛,今年台积电(TSM.US)总产能将以7纳米成长最多,第二代加入EUV的7纳米...

发表于 2019-05-25 11:40 1733次阅读
台积电今年7纳米总产能将增加1.5倍 达到100...

美光公布DRAM和NANDFlash的最新技术线...

作为全球知名的存储器厂商,近日,美光召开了2019年投资者大会,在大会中上,美光展示了DRAM和NA...

发表于 2019-05-24 16:56 1194次阅读
美光公布DRAM和NANDFlash的最新技术线...

韩国三星首次研发5纳米半导体工艺

韩国《中央日报》发布消息称,三星电子已成功研发出5纳米(nm)半导体工艺,并于4月中正式量产首个利用...

发表于 2019-05-22 10:25 2192次阅读
韩国三星首次研发5纳米半导体工艺

三星3nm工艺创新采用‘GAAFET结构’ 芯片...

韩国三星电子于15日宣布在Samsung Foundry Forum 2019 USA上发布工艺设计...

发表于 2019-05-17 11:29 2548次阅读
三星3nm工艺创新采用‘GAAFET结构’ 芯片...

英特尔预计10纳米产品将在6月开始出货 并预期2...

就在台积电及三星电子陆续宣布支援极紫外光(EUV)技术的7纳米技术进入量产阶段后,半导体龙头英特尔也...

发表于 2019-05-14 16:32 1146次阅读
英特尔预计10纳米产品将在6月开始出货 并预期2...

苹果A13芯片将采用台积电第二代7nm工艺 并率...

彭博报道称,台积电已于4月份就开始了苹果A13芯片的早期测试生产阶段,并且计划在本月进行量产。预计A...

发表于 2019-05-13 16:39 1695次阅读
苹果A13芯片将采用台积电第二代7nm工艺 并率...

三星使用EUV成功完成5nm FinFET工艺开...

16日,三星电子宣布在基于EUV的高级节点方面取得了重大进展,包括7nm批量生产和6nm客户流片,以...

发表于 2019-04-18 15:48 2525次阅读
三星使用EUV成功完成5nm FinFET工艺开...

我国成功研发出9nm线宽双光束超衍射极限光刻试验...

4月10日记者从武汉光电国家研究中心获悉,该中心甘棕松团队采用二束激光在自研的光刻胶上突破了光束衍射...

发表于 2019-04-16 17:33 1871次阅读
我国成功研发出9nm线宽双光束超衍射极限光刻试验...

三星宣布已完成5纳米FinFET工艺技术开发

4月16日,三星官网发布新闻稿,宣布已经完成5纳米FinFET工艺技术开发,现已准备好向客户提供样品...

发表于 2019-04-16 17:27 1015次阅读
三星宣布已完成5纳米FinFET工艺技术开发

三星或从2019年6月份开始量产7纳米EUV制程

在 7 纳米制程节点上,虽然三星宣称时程上领先台积电,而且选择直接进入 EUV 技术时代,不过实际进...

发表于 2019-04-12 16:48 1206次阅读
三星或从2019年6月份开始量产7纳米EUV制程

台积电推出采用EUV的5nm工艺设计 密度提高1...

台积电近日宣布,将基于该公司的开放式创新平台(OIP)提供完整版的5nm工艺设计制成。 据该公司称,...

发表于 2019-04-10 09:18 485次阅读
台积电推出采用EUV的5nm工艺设计 密度提高1...

投资 13 亿美元,三星的 7 纳米 EUV 制...

在当前全球晶圆制造的先进制程领域中,只剩下台积电、三星以及英特尔可以一较高下。

发表于 2019-04-04 14:33 1301次阅读
投资 13 亿美元,三星的 7 纳米 EUV 制...

半导体技术微缩,新材料、材料纯度和污染控制扮演重...

然而,真正让芯片效能提升的关键,并非只是晶体管越做越小,也可以用 3D 制程取代 2D,或是导入新材...

发表于 2019-04-04 10:28 1573次阅读
半导体技术微缩,新材料、材料纯度和污染控制扮演重...

EUV技术再度突破 但发展EUV仍需大力支持

光刻是芯片制造技术的主要环节之一。目前主流的芯片制造是基于193nm光刻机进行的。但是193nm的光...

发表于 2019-04-03 17:26 1179次阅读
EUV技术再度突破 但发展EUV仍需大力支持

三星7纳米EUV制程量产预计在2020年底前达成

在当前全球晶圆制造的先进制程领域中,只剩下台积电、三星以及英特尔可以一较高下。三星虽然早在 2018...

发表于 2019-04-03 17:21 1094次阅读
三星7纳米EUV制程量产预计在2020年底前达成

三星亦加快先进制程布局 今年将推进至采用EUV技...

晶圆代工龙头台积电支援极紫外光(EUV)微影技术的7+纳米进入量产阶段,竞争对手韩国三星晶圆代工(S...

发表于 2019-03-18 15:21 982次阅读
三星亦加快先进制程布局 今年将推进至采用EUV技...

2019年将是7nm EUV半导体产品元年,晶圆...

根据全球唯一能供应EUV光刻机机台的ASML最新官方消息揭露,截至2018年底,已对全球晶圆大厂供应...

发表于 2019-03-07 14:35 657次阅读
2019年将是7nm EUV半导体产品元年,晶圆...

深度探究光刻技术的原理和EUV光刻技术前景

光刻是集成电路最重要的加工工艺,他的作用,如同金工车间中车床的作用。在整个芯片制造工艺中,几乎每个工...

发表于 2019-03-03 10:00 1205次阅读
深度探究光刻技术的原理和EUV光刻技术前景

干货!光刻技术的原理和EUV光刻技术前景

光刻是集成电路最重要的加工工艺,他的作用,如同金工车间中车床的作用。在整个芯片制造工艺中,几乎每个工...

发表于 2019-03-02 09:41 2033次阅读
干货!光刻技术的原理和EUV光刻技术前景

长江后浪推前浪,比《流浪地球》更硬核的光刻新纪元...

极紫外光刻时代的大幕已拉开……

发表于 2019-02-27 13:41 288次阅读
长江后浪推前浪,比《流浪地球》更硬核的光刻新纪元...

三大半导体厂微影技术进度一览

台积电总裁暨执行长魏哲家在日前法人说明会中指出,7+nm良率推进情况良好,预期第二季后进入量产阶段,...

发表于 2019-02-26 17:03 1792次阅读
三大半导体厂微影技术进度一览

浅析光刻技术的原理和EUV光刻技术前景

光刻是集成电路最重要的加工工艺,他的作用,如同金工车间中车床的作用。在整个芯片制造工艺中,几乎每个工...

发表于 2019-02-25 10:07 833次阅读
浅析光刻技术的原理和EUV光刻技术前景
'+data.username+'
';*/ var login_content = ' 写文章
' + data.username + '
'; $('#login_area').html(login_content); var win_width = $(window).width(); if (win_width > 1000) { $("#mine").mouseDelay(200).hover(function () { $("#mymenu").show(); }, function () { $("#mymenu").hide(); }); } } else { var content = '登录'; $('#login_area').html(content); $(".special-login").click(function (e) { $.tActivityLogin(); return false; }); } }); } (function () { /* * 插入单点登录JS */ var setHost = 'https://passport.elecfans.com'; //设置域名 var script = document.createElement('script'); script.type = 'text/javascript'; script.src = setHost + '/public/pc/js/t.passport.js'; script.setAttribute("id", "sso_script"); script.setAttribute("data-ssoSite", setHost); script.setAttribute("data-ssoReferer", encodeURIComponent(location.href)); script.setAttribute("data-ssoSiteid", "11"); var body = document.getElementsByTagName("body").item(0); body.appendChild(script); })() /* * 推荐文章无图时样式修改 * */ $(".article .thumb").each(function () { if ($(this).find('img').attr('src') == "") { $(this).find('img').remove(); $(this).parent().css('padding-left', '0px'); } }); /*百度分享*/ window._bd_share_config = { common: { bdText: '',//自定义分享内容 bdDesc: '',//自定义分享摘要 bdUrl: window.location.href,//自定义分享url地址 bdPic: '' }, share: [{ "bdSize": 60 }] } with (document)0[(getElementsByTagName('head')[0] || body).appendChild(createElement('script')).src = 'http://bdimg.share.baidu.com/static/api/js/share.js?cdnversion=' + ~(-new Date() / 36e5)]; var add_url = '/d/article/write/'; // var check_allow = "{:U('Api/iscantalk')}"; var check_allow = "/d/api/iscantalk"; var click_items_length = $('.art_click_count').length; if (click_items_length > 0) { var id_str = ''; $('.art_click_count').each(function () { id_str += $(this).attr('data-id') + ','; }) // var url = "{:U('Api/getclickbyids')}"; var url = "/d/api/getclickbyids"; var id_data = 'id_str=' + id_str; $.ajax({ url: url, data: id_data, type: 'post', dataType: 'json', success: function (re) { if (re.list.length >= 1) { var list = re.list; for (var i in list) { var temp_id = list[i]['id']; var temp_span = $(".art_click_count[data-id=" + temp_id + "]") temp_span.html(list[i]['click']); } } } }) } $("#comContent").click(function () { if (now_uid == '') { $.tActivityLogin(); return false; } }); $("#comSubmit").click(function () { if (now_uid == '') { $.tActivityLogin(); return false; } }); $(function () { var follow_wrap = $(".author-collect"); var now_uid = "{$_super['uid']}"; var face_src = "{$_super['uface']}"; var getFollowNum = $(".followNum strong").html(); //关注 $(window).on('click', '.author-collect', function () { if (now_uid == '') { $.tActivityLogin(); return false; } if ($(this).attr('id') == 'follow') { $.post('/d/user/follow', { tuid: article_user_id }, function (data) { //返回的数据格式: if (data.status == "successed") { $(".followNum strong").html(++getFollowNum); follow_wrap.html('已关注').attr('id', 'cancelFollow').css('background', '#999'); var follow_user = ''; $('#follow_list').append(follow_user); } if (data.status == "failed") { alert(data.msg); } } ); } else { //取消关注 if ($(this).attr('id') == 'cancelFollow') { $.post('/d/user/cancelFollow', { tuid: article_user_id }, function (data) { //返回的数据格式: if (data.status == "successed") { follow_wrap.html('关注').attr('id', 'follow').css('background', '#f90'); $(".followNum strong").html(--getFollowNum); $('#follow_list .face').each(function () { var target_uid = $(this).attr('data-uid'); if (target_uid == now_uid) { $(this).remove(); } }) } if (data.status == "failed") { alert(data.msg); } } ); return false; } } }); });
红运快三 红运快三 红运快三 红运快三 红运快三 红运快三 红运快三 红运快三 红运快三 红运快三